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HGTG12N60C3D中文资料

HGTG12N60C3D图片

HGTG12N60C3D外观图

  • 大小：124.82KB
  • 厂家：HARRIS [Harris Corporation]
  • 描述：24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：150
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.2V @ 15V，15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：24A
  • 功率 - 最大：104W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商设备封装：TO-247
  • 包装：管件

HGTG12N60C3D供应商

更新时间:2023-01-13 05:40:33
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